光刻膠是涂覆在基底表面的一層材料，正是通過(guò)對(duì)光刻膠的圖形化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基底上的圖形轉(zhuǎn)移。
一、光刻膠的成分
光刻膠（photoresist，也作光致抗蝕劑，光阻），是一種由聚合物樹(shù)脂（resin），光敏化合物（photoactive compound）和溶劑等混合而成的膠狀液體，從成份上來(lái)講，都是碳基有機(jī)化合物。
1.樹(shù)脂，作為粘合劑的聚合物混合物，決定了光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能；
2.光敏化合物，決定了光刻膠的光敏感度：當(dāng)受到特定波長(zhǎng)能量束作用后，光敏化合物會(huì)分解或者聚合，激發(fā)化學(xué)反應(yīng)，使受輻照區(qū)域在某些特定溶液中的溶解特性發(fā)生改變，或溶解性被增強(qiáng)或變得更難溶，進(jìn)而形成光刻膠圖案；
3.溶劑，則可以改變光刻膠的粘度，從而在合理的轉(zhuǎn)速范圍內(nèi)得到所要的厚度。
二、光刻膠的分類(lèi)
1.根據(jù)曝光后的特性分類(lèi)
光刻膠有多種分類(lèi)方法。最直觀的是根據(jù)曝光后的特性分類(lèi)：在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，曝光部分以斷鏈反應(yīng)為主，在顯影液中溶解，這樣的光刻膠為正膠（positive photoresist）。與之相反，曝光部分以交聯(lián)反應(yīng)為主，在顯影液中不易溶解，這樣的光刻膠為負(fù)膠（negative photoresist）。
2.按照感光波長(zhǎng)來(lái)分類(lèi)
（1）?用于I-線（365nm波長(zhǎng)）和G-線（405nm波長(zhǎng)）的光刻膠
目前絕大部分的I-線、G-線膠，都是以酚醛樹(shù)脂（novolac resin）和二氮醌（diazoquinone，DNQ）為主要成分。分辨率高，且抗干法刻蝕性較強(qiáng)的顯著優(yōu)勢(shì)使得I/G線紫外正膠廣泛應(yīng)用于0.8-1.2 mm、0.5-0.6 mm及0.35 mm集成電路的制作及液晶平面顯示器等較大面積的電子產(chǎn)品制作。
（2）用于248 nm波長(zhǎng)的光刻膠
酚醛樹(shù)脂對(duì)250nm下波長(zhǎng)的光有較強(qiáng)的吸收率，因此無(wú)法應(yīng)用到248nm波長(zhǎng)的光刻工藝。目前所有248nm、193nm以及193nm浸沒(méi)式光刻膠都是化學(xué)放大膠?；瘜W(xué)放大膠的主要成分是聚合物樹(shù)脂、光致產(chǎn)酸劑（photo acid generator，PAG）以及相應(yīng)的添加劑（additives）和溶劑。光子被PAG吸收后，PAG分解釋放酸H+，酸分子作為催化劑，催化了化學(xué)放大式的反應(yīng)模式，使得化學(xué)放大膠對(duì)光照非常敏感，很小的劑量就能完成整個(gè)區(qū)域的曝光?；瘜W(xué)放大膠的基本工作原理可以用下圖來(lái)描述。
（3）用于193 nm波長(zhǎng)的光刻膠
193nm光刻膠的設(shè)計(jì)理念與248nm膠類(lèi)似，主要成分有聚合物樹(shù)脂、光致產(chǎn)酸劑、中和光之產(chǎn)酸劑的堿性中和劑（base quencher），另外還有功能添加劑（additives）。這些添加劑會(huì)對(duì)光刻膠的性能作微調(diào)，使之能符合特定工藝的要求。
（4）電子束光刻膠
電子束對(duì)光刻膠的曝光與光學(xué)曝光本質(zhì)上是一樣的，是利用高分子聚合物對(duì)電子敏感反應(yīng)而形成曝光圖形，可以獲得非常高的分辨率。
電子束作為下一代光刻技術(shù)要求所對(duì)應(yīng)的光刻膠具有高的靈敏度、對(duì)比度以及抗干法刻蝕選擇性。目前，電子光刻膠的品種主要有：
a)?聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物，典型的有PMMA等正性光刻膠；
b)?環(huán)氧系負(fù)膠，以甲基丙烯酸縮水甘油酯和丙烯酸乙酯的共聚物COP為代表；
c)?硅酮樹(shù)脂系負(fù)膠，如硅油、硅橡膠等；
d)?聚砜系正膠，以聚（丁烯-1-砜）PBS為代表。
END
不積珪步，無(wú)以至千里；不積細(xì)流，無(wú)以成江海。做好每一份工作，都需要堅(jiān)持不懈的學(xué)習(xí)。
