EMI仿真，把電腦算死機了2次，黑屏1次，麥克斯韋真是厲害。計算量真大。
大家一起共同進步，先上一張效果圖裝裝x。
1. 和前面DDR SI仿真一樣，啟動SPEED Generator，load layout file。
2. 我這個DDR內(nèi)存條上下游2個沒用的層，我先刪掉，雙擊右邊layer區(qū)域或者左邊check stackup跳出stack窗口刪除
3. 先刪除系統(tǒng)自帶的觀測點，太多了。選擇左邊monitor component voltage，ctrl+A選中跳出的窗口下面的觀測點，全刪掉，點擊OK。
4. 選擇要仿真的信號，在net manager窗口先右鍵disable all nets，再搜索想要仿真的信號，右鍵enable；enable power 和 gnd，設(shè)置VDD的電壓值為1.5V，pair net 為GND，如圖。
5. 設(shè)置器件，setup選擇component manager，右鍵enable U9和J1，即DQ14/TDQ14的發(fā)送接收端。（應(yīng)該自動enable的，我軟件沒有自動enable，就手動enable一下了）
6. 設(shè)置器件IBIS模型，點擊edit，再點擊edit IBIS，選中準備好的IBIS模型ctrl.ibis。
7. 設(shè)置TDQ14參數(shù)，選中TDQ14，設(shè)置enable列為輸出output，package mode為Pin RLC；選擇stimulus為new，會自動彈出new model對話框，設(shè)置參數(shù)如圖；V1_1? 1? 2? RANDOM_BIT ( 0V 1.5V DATA_RATE = 1.333g? POLY = 5? TR = 0.1n? TF = 0.1n )；發(fā)送端勾上Sgn Mon。
8. 設(shè)置U0 IBIS模型，選擇dram.ibis，輸入端參數(shù)較少，按照發(fā)送端操作設(shè)置好參數(shù)，如圖。
9. 設(shè)置觀測點，點擊左側(cè)monitor component voltage，點擊鼠標左鍵選擇觀測點左邊信號，鼠標右鍵選擇右邊信號，然后點擊add，觀測點自己隨意添加
10. 選擇仿真時間，EMI計算時間較長，我只選5ns了，快一些。
11. 生成仿真網(wǎng)格，點擊automatice...
12. 選擇仿真頻率
13. 忘了enable base mode，再save一下，然后點擊開始仿真
14. 仿真結(jié)果查看，在setup選擇信號，我們選擇TDQ14，然后選擇所有層
15. FCC圖標設(shè)置，選擇周期性，每次的周期，以及到周期的多少倍頻，點擊apply，如圖
Ev 表示垂直方向的輻射強度嗎，Eh表示水平方向的輻射強度
16. 還有這種形式的，不過看不懂，需要學(xué)習(xí)一下
17. PCB形式，我們可以選擇查看100MHz和1G的輻射強度，設(shè)置如圖所示，計算需要一會，我們可以查看各個面的輻射
